Caractéristiques électriques du transistor 2SD1406-G
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 150 à 300
Fréquence de transition minimum: 3 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1406-G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1406-G peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du 2SD1406 est compris entre 60 à 300, celui du 2SD1406-O entre 60 à 120, celui du 2SD1406-Y entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1406-G peut n'être marqué que D1406-G.
Version SMD du transistor 2SD1406-G
Le BDP949 (SOT-223) et FZT692B (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1406-G.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1406-G