Transistor bipolaire KSD2012-G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 150 à 320
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSD2012-G peut avoir un gain en courant continu de 150 à 320. Le gain en courant continu du KSD2012 est compris entre 100 à 320, celui du KSD2012-Y entre 100 à 200.Le transistor PNP complémentaire du KSD2012-G est le KSB1366-G.Le BDP949 (SOT-223) et FZT692B (SOT-223) est la version SMD du transistor KSD2012-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSD2012-G par 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D ou TIP42D.