Caractéristiques électriques du transistor 2SD1266A-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 120 à 250
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1266A-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1266A-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SD1266A est compris entre 70 à 320, celui du 2SD1266A-O entre 160 à 320, celui du 2SD1266A-Q entre 70 à 150.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1266A-P peut n'être marqué que D1266A-P.
Complémentaire du transistor 2SD1266A-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1266A-P est le 2SB941A-P.
Version SMD du transistor 2SD1266A-P
Le BDP951 (SOT-223) et FMMT620 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD1266A-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1266A-P