Transistor bipolaire 2SD1190
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1190
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 70 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 4 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 2000
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD1190
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1190 peut n'être marqué que
D1190.
Complémentaire du transistor 2SD1190
Le transistor
PNP complémentaire du 2SD1190 est le
2SB880.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1190
Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1190 par
2SC3145,
2SD1191,
2SD1192,
2SD1276,
2SD1276-P,
2SD1276-Q,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277,
2SD1277-P,
2SD1277-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1825,
2SD1826,
2SD1827,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD635,
2SD837-P,
2SD837-Q,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G ou
TTD1415B.
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