Transistor bipolaire 2SD1190

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1190

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 70 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD1190

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1190 peut n'être marqué que D1190.

Complémentaire du transistor 2SD1190

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1190 est le 2SB880.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1190

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1190 par 2SC3145, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1276, 2SD1276-P, 2SD1276-Q, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1825, 2SD1826, 2SD1827, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD635, 2SD837-P, 2SD837-Q, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G ou TTD1415B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com