Transistor bipolaire 2SD1192

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1192

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 70 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD1192

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1192 peut n'être marqué que D1192.

Complémentaire du transistor 2SD1192

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1192 est le 2SB882.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1192

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1192 par 2SD1827, MJF6388 ou MJF6388G.
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