Caractéristiques électriques du transistor 2SB775-D
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -85 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -6 A
Dissipation de puissance maximum: 60 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 18 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB775-D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB775-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB775 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB775-E entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB775-D peut n'être marqué que B775-D.
Complémentaire du transistor 2SB775-D
Le transistor NPN complémentaire du 2SB775-D est le 2SD895-D.
Version SMD du transistor 2SB775-D
Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB775-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB775-D