Transistor bipolaire MJE5851G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -350 V
• Tension collecteur-base maximum: -400 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 15
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE5851G est la version sans plomb du transistor MJE5851

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5851G par MJE15035, MJE15035G, MJE5851, MJE5852 ou MJE5852G.