Transistor bipolaire 2SD610-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD610-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
  • Tension collecteur-base maximum: 250 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD610-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD610-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD610 est compris entre 40 à 200, celui du 2SD610-R entre 60 à 120, celui du 2SD610-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD610-Q peut n'être marqué que D610-Q.

Complémentaire du transistor 2SD610-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD610-Q est le 2SB630-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD610-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD610-Q par 2SC2898, 2SC3310, 2SC4242, 2SC4382, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, BUX84, MJE13070, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 ou MJE15034G.
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