Transistor bipolaire MJE15035

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -350 V
• Tension collecteur-base maximum: -350 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 100
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE15035 est le MJE15034.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15035 par MJE15035G.Le transistor MJE15035G est la version sans plomb du MJE15035.