Transistor bipolaire MJE5852G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -400 V
• Tension collecteur-base maximum: -450 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 15
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE5852G est la version sans plomb du transistor MJE5852

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5852G par MJE5852.