Transistor bipolaire MJE15035G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -350 V
• Tension collecteur-base maximum: -350 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 100
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE15035G est la version sans plomb du transistor MJE15035

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE15035G est le MJE15034G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15035G par MJE15035.