Transistor bipolaire MJE15033G

Caractéristiques électriques du transistor MJE15033G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
  • Tension collecteur-base maximum: -250 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le MJE15033G est la version sans plomb du transistor MJE15033

Brochage du MJE15033G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE15033G

Le transistor NPN complémentaire du MJE15033G est le MJE15032G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE15033G

Vous pouvez remplacer le transistor MJE15033G par MJE15033, MJE15035 ou MJE15035G.
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