Transistor bipolaire 2SB1251-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1251-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 15000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1251-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1251-P peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 15000. Le gain en courant continu du 2SB1251 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1251-Q entre 8000 à 30000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1251-P peut n'être marqué que B1251-P.

Complémentaire du transistor 2SB1251-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1251-P est le 2SD1891-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1251-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1251-P par 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1481, 2SB1626, 2SB601, 2SB601-K, 2SB673, 2SB885, 2SB886, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BD954, BD956, BDT60B, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54C, BDW54D, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T ou TTB1020B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com