Caractéristiques électriques du transistor 2SB1251-P
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
Tension collecteur-base maximum: -110 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 5000 à 15000
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1251-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1251-P peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 15000. Le gain en courant continu du 2SB1251 est compris entre 5000 à 30000, celui du 2SB1251-Q entre 8000 à 30000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1251-P peut n'être marqué que B1251-P.
Complémentaire du transistor 2SB1251-P
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1251-P est le 2SD1891-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1251-P