Transistor bipolaire 2N6109

Caractéristiques électriques du transistor 2N6109

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6109

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6109

Le transistor NPN complémentaire du 2N6109 est le 2N6290.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6109

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6109 par 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109G, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78 ou NTE197.

Version sans plomb

Le transistor 2N6109G est la version sans plomb du 2N6109.
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