Transistor bipolar MJ11011G

Características del transistor MJ11011G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11011G es la versión sin plomo del transistor MJ11011

Diagrama de pines del MJ11011G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11011G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11011G es el MJ11012G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11011G

Puede sustituir el MJ11011G por el MJ11011, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.
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