Transistor bipolar MJ11015G

Características del transistor MJ11015G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11015G es la versión sin plomo del transistor MJ11015

Diagrama de pines del MJ11015G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11015G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11015G es el MJ11016G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11015G

Puede sustituir el MJ11015G por el MJ11015, MJ11033 o MJ11033G.
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