Transistor bipolar MJ11031

Características del transistor MJ11031

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ11031

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11031 equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11031 es el MJ11030.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11031

Puede sustituir el MJ11031 por el MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.

Versión sin plomo

El transistor MJ11031G es la versión sin plomo del MJ11031.
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