Transistor bipolar MJ11013G

Características del transistor MJ11013G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11013G es la versión sin plomo del transistor MJ11013

Diagrama de pines del MJ11013G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11013G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11013G es el MJ11014G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11013G

Puede sustituir el MJ11013G por el MJ11013, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.
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