Transistor bipolar MJ11029

Características del transistor MJ11029

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ11029

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11029 equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11029 es el MJ11028.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11029

Puede sustituir el MJ11029 por el MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.

Versión sin plomo

El transistor MJ11029G es la versión sin plomo del MJ11029.
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