Transistor bipolar MJ11031G

Características del transistor MJ11031G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11031G es la versión sin plomo del transistor MJ11031

Diagrama de pines del MJ11031G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11031G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11031G es el MJ11030G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11031G

Puede sustituir el MJ11031G por el MJ11031, MJ11033 o MJ11033G.
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