Transistor bipolar MJ11033G

Características del transistor MJ11033G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11033G es la versión sin plomo del transistor MJ11033

Diagrama de pines del MJ11033G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11033G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11033G es el MJ11032G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11033G

Puede sustituir el MJ11033G por el MJ11033.
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