Transistor bipolar MJ11029G

Características del transistor MJ11029G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -50 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 18000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ11029G es la versión sin plomo del transistor MJ11029

Diagrama de pines del MJ11029G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJ11029G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ11029G es el MJ11028G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ11029G

Puede sustituir el MJ11029G por el MJ11029, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.
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