Transistor bipolar KSD2012-G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
• Disipación de Potencia Máxima: 25 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 150 a 320
• Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor KSD2012-G puede tener una ganancia de corriente de 150 a 320. La ganancia del KSD2012 estará en el rango de 100 a 320, para el KSD2012-Y estará en el rango de 100 a 200.El transistor PNP complementario del KSD2012-G es el KSB1366-G.El BDP949 (SOT-223) y FZT692B (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSD2012-G.Puede sustituir el KSD2012-G por el 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D o TIP42D.