Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-220F
Diagrama de pines del KSB1366-G
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor KSB1366-G puede tener una ganancia de corriente de 150 a 320. La ganancia del KSB1366 estará en el rango de 100 a 320, para el KSB1366-Y estará en el rango de 100 a 200.
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del KSB1366-G es el KSD2012-G.
Versión SMD del transistor KSB1366-G
El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSB1366-G.
Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1366-G