Transistor bipolar BDP949
Características del transistor BDP949
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 3 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 475
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-223
Diagrama de pines del BDP949
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDP949
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