Transistor bipolar BDP949

Características del transistor BDP949

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 3 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 475
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del BDP949

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor BDP949 está marcado como "BDP949".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDP949 es el BDP950.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDP949

Puede sustituir el BDP949 por el BDP951, BDP953, BDP955 o NZT44H8.
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