Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-220F
Diagrama de pines del KSD2012
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor KSD2012 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 320. La ganancia del KSD2012-G estará en el rango de 150 a 320, para el KSD2012-Y estará en el rango de 100 a 200.
Transistor PNP complementario
El transistor PNP complementario del KSD2012 es el KSB1366.
Versión SMD del transistor KSD2012
El BDP949 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSD2012.
Sustitución y equivalentes para el transistor KSD2012