Transistor bipolar 2SD2012
Características del transistor 2SD2012
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 25 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 320
- Frecuencia máxima de trabajo: 9 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del 2SD2012
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD2012 puede estar marcado sólo como "
D2012".
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del 2SD2012 es el
2SB1375.
Versión SMD del transistor 2SD2012
El
BDP949 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD2012.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD2012
Puede sustituir el 2SD2012 por el
2SC1826,
2SC1985,
2SC1986,
2SC2075,
2SC3179,
2SC3851,
2SC3851A,
2SC4007,
2SC4008,
2SC4550,
2SC4551,
2SC4552,
2SD1134,
2SD1266,
2SD1266A,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD1761,
2SD2061,
2SD2394,
2SD313,
2SD613,
2SD823,
BD203,
BD241A,
BD241B,
BD241C,
BD243A,
BD243B,
BD243C,
BD303,
BD535,
BD537,
BD539A,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD543A,
BD543B,
BD543C,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD797,
BD799,
BD801,
BD807,
BD809,
BD949,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
KSD2012,
MJE15028,
MJE15028G,
TIP41D o
TIP42D.
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