Transistor bipolar 2SD2012

Características del transistor 2SD2012

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 9 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD2012

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD2012 puede estar marcado sólo como "D2012".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD2012 es el 2SB1375.

Versión SMD del transistor 2SD2012

El BDP949 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD2012.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD2012

Puede sustituir el 2SD2012 por el 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD2012, MJE15028, MJE15028G, TIP41D o TIP42D.
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