Transistor bipolar KSB1366

Características del transistor KSB1366

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 9 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del KSB1366

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB1366 puede tener una ganancia de corriente de 100 a 320. La ganancia del KSB1366-G estará en el rango de 150 a 320, para el KSB1366-Y estará en el rango de 100 a 200.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB1366 es el KSD2012.

Versión SMD del transistor KSB1366

El BDP950 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSB1366.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB1366

Puede sustituir el KSB1366 por el 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 o MJE15029G.
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