Transistor bipolar KSB601-O

Características del transistor KSB601-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 3000 a 7000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del KSB601-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB601-O puede tener una ganancia de corriente de 3000 a 7000. La ganancia del KSB601 estará en el rango de 2000 a 15000, para el KSB601-R estará en el rango de 2000 a 5000, para el KSB601-Y estará en el rango de 5000 a 15000.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSB601-O es el KSD560-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB601-O

Puede sustituir el KSB601-O por el 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD560-LB, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSD560, KSD560-O, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F o TTD1415B.
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