Transistor bipolar BDW63D

Características del transistor BDW63D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDW63D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW63D es el BDW64D.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW63D

Puede sustituir el BDW63D por el BD651, BDT87, BDT87F, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
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