Transistor bipolar BDW63C

Características del transistor BDW63C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDW63C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW63C es el BDW64C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW63C

Puede sustituir el BDW63C por el BD243C, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com