Transistor bipolar TTD1415B

Características del transistor TTD1415B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 15000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del TTD1415B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del TTD1415B es el TTB1020B.

Sustitución y equivalentes para el transistor TTD1415B

Puede sustituir el TTD1415B por el 2N6045, 2N6045G, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1830, 2SD633, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G o TIP142T.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com