Transistor bipolar 2SD560-MB

Características del transistor 2SD560-MB

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD560-MB

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD560-MB puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 5000. La ganancia del 2SD560 estará en el rango de 2000 a 15000, para el 2SD560-KB estará en el rango de 5000 a 15000, para el 2SD560-LB estará en el rango de 3000 a 7000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD560-MB puede estar marcado sólo como "D560-MB".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD560-MB es el 2SB601-M.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD560-MB

Puede sustituir el 2SD560-MB por el 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSB601, KSB601-R, KSD560, KSD560-R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F o TTD1415B.
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