Transistor bipolar 2SB1250-Q

Características del transistor 2SB1250-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8000 a 30000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1250-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1250-Q puede tener una ganancia de corriente de 8000 a 30000. La ganancia del 2SB1250 estará en el rango de 5000 a 30000, para el 2SB1250-P estará en el rango de 5000 a 15000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1250-Q puede estar marcado sólo como "B1250-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1250-Q es el 2SD1890-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1250-Q

Puede sustituir el 2SB1250-Q por el 2SA1488A, 2SA771, 2SB1024, 2SB1226, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1251, 2SB1251-Q, 2SB1252, 2SB1252-Q, 2SB1481, 2SB1626, 2SB884, 2SB885, 2SB886, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP146T o TIP147T.
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