Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8050B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des MPS8050B
Der MPS8050B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor MPS8050B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050 liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8050C im Bereich von 120 bis 200, die des MPS8050D im Bereich von 160 bis 300.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050B ist der MPS8550B.
SMD-Version des Transistors MPS8050B
Der MPS8050S (SOT-23) und MPS8050S-B (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8050B-Transistors.
