Bipolartransistor MMBT2222AT

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT2222AT

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-523F
  • Electrically Similar to the Popular 2N2222A transistor

Pinbelegung des MMBT2222AT

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT2222AT-Transistor ist als "1P" gekennzeichnet.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com