Bipolartransistor NTE159

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Rauschzahl, max: 3 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der NTE159 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE159 ist der NTE123AP.Der FMMTA56 (SOT-23), KST56 (SOT-23) und MMBT4356 (SOT-23) ist die SMD-Version des NTE159-Transistors.Sie können den Transistor NTE159 durch einen BC528, MPS4356, ZTX554 oder ZTX555 ersetzen.