Bipolartransistor MJE221

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE221

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE221

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE221 ist der MJE231.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE221

Sie können den Transistor MJE221 durch einen 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE220, MJE222, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241 oder MJE242 ersetzen.
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