Bipolartransistor KTB1367Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1367Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1367-Y transistor

Pinbelegung des KTB1367Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB1367Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1367 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KTB1367O im Bereich von 70 bis 140, die des KTB1367R im Bereich von 40 bis 80.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1367Y ist der KTD2059Y.

SMD-Version des Transistors KTB1367Y

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1367Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1367Y

Sie können den Transistor KTB1367Y durch einen 2SB1016, 2SB1016-Y, 2SB1016A, 2SB1016A-Y, 2SB1367, 2SB1367-Y, 2SB595, 2SB595-Y, 2SB995, 2SB995-Y, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTA1038, KTA1038-Y, KTA1049, KTA1049Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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