Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1845E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1845E
Der KSC1845E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1845E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1845 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des KSC1845F im Bereich von 300 bis 600, die des KSC1845P im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1845U im Bereich von 600 bis 1200.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1845E ist der KSA992E.
SMD-Version des Transistors KSC1845E
Der 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) und FJV1845-E (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1845E-Transistors.
