Bipolartransistor KSA992E

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA992E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA992E

Der KSA992E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA992E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA992 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des KSA992F im Bereich von 300 bis 600, die des KSA992FA im Bereich von 300 bis 470, die des KSA992FB im Bereich von 430 bis 600, die des KSA992P im Bereich von 200 bis 400.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA992E ist der KSC1845E.

SMD-Version des Transistors KSA992E

Der FJV992 (SOT-23) und FJV992-E (SOT-23) ist die SMD-Version des KSA992E-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA992E

Sie können den Transistor KSA992E durch einen 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285, 2SA1285-G, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA872A-E, 2SA992, 2SA992E, 2SB716 oder 2SB716-E ersetzen.
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