Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD756-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SD756-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD756-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD756 liegt im Bereich von 250 bis 800, die des 2SD756-D im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD756-E-Transistor könnte nur mit "D756-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD756-E ist der 2SB716-E.
SMD-Version des Transistors 2SD756-E
Der 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) und FJV1845-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD756-E-Transistors.
