Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1845P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC1845P
Der KSC1845P wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC1845P kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1845 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des KSC1845E im Bereich von 400 bis 800, die des KSC1845F im Bereich von 300 bis 600, die des KSC1845U im Bereich von 600 bis 1200.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1845P ist der KSA992P.
