Bipolartransistor KSC1845

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1845

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC1845

Der KSC1845 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1845 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1845E liegt im Bereich von 400 bis 800, die des KSC1845F im Bereich von 300 bis 600, die des KSC1845P im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1845U im Bereich von 600 bis 1200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1845 ist der KSA992.

SMD-Version des Transistors KSC1845

Der FJV1845 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1845-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1845

Sie können den Transistor KSC1845 durch einen 2SC1841, 2SC1845 oder 2SC2784 ersetzen.
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