Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1845E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1845E
Der 2SC1845E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1845E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1845 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des 2SC1845F im Bereich von 300 bis 600, die des 2SC1845P im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC1845U im Bereich von 600 bis 1200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1845E-Transistor könnte nur mit "C1845E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1845E ist der 2SA992E.
SMD-Version des Transistors 2SC1845E
Der 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) und FJV1845-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1845E-Transistors.
