Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1775A-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Rauschzahl, max: 5 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1775A-E
Der 2SC1775A-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1775A-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1775A liegt im Bereich von 400 bis 1200, die des 2SC1775A-F im Bereich von 600 bis 1200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1775A-E-Transistor könnte nur mit "C1775A-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1775A-E ist der 2SA872A-E.
SMD-Version des Transistors 2SC1775A-E
Der 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) und FJV1845-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1775A-E-Transistors.
