Bipolartransistor 2SC3245-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3245-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SC3245-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3245-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3245 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SC3245-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SC3245-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3245-G-Transistor könnte nur mit "C3245-G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3245-G ist der 2SA1285-G.

SMD-Version des Transistors 2SC3245-G

Der 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) und FJV1845-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC3245-G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3245-G

Sie können den Transistor 2SC3245-G durch einen 2SC2544, 2SC2544-E, 2SC2547, 2SC2547-E oder 2SC3245A ersetzen.
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