Bipolartransistor FJV1845-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJV1845-E

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1845E transistor

Pinbelegung des FJV1845-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJV1845-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJV1845 liegt im Bereich von 200 bis 1200, die des FJV1845-F im Bereich von 300 bis 600, die des FJV1845-P im Bereich von 200 bis 400, die des FJV1845-U im Bereich von 600 bis 1200.

Kennzeichnung

Der FJV1845-E-Transistor ist als "7E" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJV1845-E ist der FJV992-E.

Transistor FJV1845-E im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1845E ist die TO-92-Version des FJV1845-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJV1845-E

Sie können den Transistor FJV1845-E durch einen 2SC1622A, FMMT624, FMMT625, KST43 oder PBHV8115T ersetzen.
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