Bipolartransistor KSC1008G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SC1008G transistor

Der KSC1008G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1008CG (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1008G.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1008G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1008O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1008R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1008Y im Bereich von 120 bis 240.Der BCV72 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1008G-Transistors.Der 2SC1008G ist die TO-92-Version des KSC1008G.Sie können den Transistor KSC1008G durch einen 2SC1008, 2SC1008G, BC537, BC537-25, BC538, BC538-25, MPS651, MPS651G oder ZTX692B ersetzen.