Bipolartransistor KSC1008R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1008R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008R transistor

Pinbelegung des KSC1008R

Der KSC1008R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1008CR (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1008R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1008R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1008G im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1008O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1008Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1008R ist der KSA708R.

Transistor KSC1008R im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1008R ist die TO-92-Version des KSC1008R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1008R

Sie können den Transistor KSC1008R durch einen 2SC1008, 2SC1008R, BC537, BC537-6, BC538, BC538-6, ZTX452 oder ZTX453 ersetzen.
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